Nächste Seite:
Einleitung
Aufwärts:
Deckblatt
Vorherige Seite:
Deckblatt
Inhalt
Inhalt
Einleitung
Grundlagen
Poisson-Gleichung
Strom-Gleichungen
Ladungsträgerdichte und Störstellenbesetzung
Freie Ladungsträger
Störstellenbesetzung
Schottky-Kontakt, Ohm'scher Kontakt
Selbstkonsistentes Lösungsverfahren
Lösung der Poisson-Gleichung
Lösung der Strom-Gleichungen
Diskretisierung
Kapazitäts-Spannungs-Spektroskopie
pn-Dioden und Schottky-Dioden
Dioden mit Quantenpunkten
Modellierung
Besetzung der Quantenpunkte
Algorithmus
Berechnung der Kapazität
Fitparameter, Fitmethode
Ergebnisse
InAs-Quantenpunkte in pnin-Diode
InAs-Quantenpunkte in pn-Diode
InAs-Quantenpunkte in Schottky-Diode (A)
InAs-Quantenpunkte in Schottky-Diode (B)
Ge-Quantenpunkte in Schottky-Diode
GaSb-Quantenpunkte in pipn-Diode
Diskussion
Bistabile Quantenpunktstrukturen
Feldeffekttransistoren mit Quantenpunkten
Einfang und Emission von Elektronen
Auger-Prozeß
Phonon-assistierte Prozesse
Zeitliche Entwicklung
Modellierung
Bistabilität
Analyse der Dynamik
Diskussion
Zusammenfassung
Herleitung der Strom-Gleichungen
0. Moment der Boltzmann-Gleichung
1. Moment der Boltzmann-Gleichung
Evolutionsstrategien
Fermi-Dirac-Integral
Materialparameter
Abbildungsverzeichnis
Tabellenverzeichnis
Literatur
Danksagung
Über dieses Dokument ...
Alexander Rack 2002-05-25