Ergebnisse

Mit dem im bisherigen Teil dieser Arbeit vorgestellten Modell wurden Quantenpunkte in verschiedenen Dioden aus unterschiedlichen Materialsystemen untersucht. Eine kurze Übersicht hierzu liefert Tabelle 2.1. In diesem Abschnitt werden die Ergebnisse vorgestellt.

Die verschiedenen CV-Messungen stammen aus der Arbeitsgruppe von Prof. Bimberg, TU Berlin und aus der Arbeitsgruppe von Prof. Hansen, Universität Hamburg.

Tabelle 2.1: Untersuchte Diodentypen und Materialsysteme.

Probe	Diodentyp	Quantenpunkte	Abschnitt
Z14a	pnin	InAs in GaAs	2.6.1
T3189	pn	InAs in GaAs	2.6.2
752-3	Schottky	InAs in GaAs	2.6.3
933	Schottky	InAs in GaAs	2.6.4
R1137A	Schottky	Ge in Silizium	2.6.5
TU5823	pipn	GaSb in GaAs	2.6.6

Wichtig bei den Messungen sind kleine Meßfrequenzen, da unsere Simulation stationär ist. Um dynamische Effekte in der CV-Kennlinie auszuschließen, wurden immer zwei Kurven mit unterschiedlichen, kleinen Meßfrequenzen verglichen. Bei identischen Kurven kann man transientes Verhalten in der CV-Kennlinie ausschließen. Ebenfalls müssen die Messungen bei relativ hohen Temperaturen ($T > 50\ K$) durchgeführt werden, um das Drift-Diffusions-Modell bei der Herleitung der Strom-Gleichungen zu rechtfertigen [Fer91], [Wet98].

Bei der Auswertung wurde für pyramidenförmige InAs-Quantenpunkte (Proben Z14a, 752-3, 933) auf Rechnungen mit 8-Band k.p-Theorie [Sti99] zurückgegriffen. Die dort berechneten Einteilchen-Energieniveaus sind in Abbildung 2.7 dargestellt.

Abbildung: Elektron-Energien in pyramidenförmigen InAs-Quantenpunkten mit verschiedenen Größen, berechnet mit 8-Band k.p-Theorie und zwei verschiedenen Verspannungsmodellen. Gestrichelte Linien verbinden Energieniveaus mit derselben Symmetrie der Wellenfunktion [Sti99].